| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 139.97 грн |
| 10+ | 125.81 грн |
| 100+ | 91.99 грн |
| 500+ | 75.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF10N40D-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF10N40D-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF10N40D-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHF10N40D-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHF10N40D-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 33W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHF10N40D-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHF10N40D-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF10N40D-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF10N40D-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHF10N40D-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.