на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 323.75 грн |
| 10+ | 215.69 грн |
| 100+ | 170.82 грн |
| 500+ | 158.97 грн |
| 1000+ | 120.62 грн |
| 2000+ | 113.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF110N65SF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF110N65SF-GE3 за ціною від 93.72 грн до 291.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHF110N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|