Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHF12N50C-E3
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix

sihp12n5.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.06 грн
50+225.96 грн
100+206.50 грн
500+161.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHF12N50C-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF12N50C-E3 SIHF12N50C-E3 Виробник : Vishay sihp12n5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N50C-E3 SIHF12N50C-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp12n5.pdf MOSFETs N-Channel 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.