Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3 Vishay Siliconix

sihf12n65e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.20 грн
50+81.43 грн
100+80.40 грн
500+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF12N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHF12N65E-GE3 за ціною від 75.04 грн до 220.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf12n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.58 грн
10+97.29 грн
100+81.66 грн
250+80.92 грн
500+77.25 грн
1000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Виробник : Vishay sihf12n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Виробник : Vishay sihf12n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihf12n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihf12n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.