Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3

sihf15n60e.pdf
Код товару: 127335
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHF15N60E-GE3 за ціною від 130.91 грн до 294.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay sihf15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay sihf15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.04 грн
50+144.35 грн
100+130.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 VISHAY sihf15n60e.pdf Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+233.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+234.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.04 грн
50+144.35 грн
100+130.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.