Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHF15N60E-GE3
SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihf15n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.64 грн
50+139.87 грн
100+133.13 грн
500+102.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF15N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції SIHF15N60E-GE3 за ціною від 100.79 грн до 308.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf15n60e.pdf Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.85 грн
10+158.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.99 грн
25+164.13 грн
100+130.22 грн
250+128.74 грн
500+108.15 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3
Код товару: 127335
Додати до обраних Обраний товар

sihf15n60e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Виробник : Vishay sihf15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Виробник : Vishay downloaded_file_746.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Виробник : Vishay downloaded_file_746.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.