Продукція > VISHAY > SIHF22N60E-GE3
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3 VISHAY

sihf22n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.41 грн
5+231.43 грн
10+202.60 грн
25+179.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF22N60E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHF22N60E-GE3 за ціною від 106.24 грн до 350.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.23 грн
50+175.05 грн
100+159.36 грн
500+123.78 грн
1000+115.50 грн
2000+108.54 грн
5000+106.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf22n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0007982243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.23 грн
50+175.05 грн
100+159.36 грн
500+123.78 грн
1000+115.50 грн
2000+108.54 грн
5000+106.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 VISH-S-A0007982243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.