SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix


sihf23n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.93 грн
10+219.97 грн
25+180.98 грн
100+155.23 грн
250+146.40 грн
500+137.57 грн
1000+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHF23N60E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Виробник : Vishay sihf23n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf23n60e.pdf SIHF23N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf23n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.