Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHF23N60E-GE3
SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix

sihf23n60e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.65 грн
10+225.33 грн
100+145.90 грн
500+122.64 грн
1000+114.18 грн
2000+107.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIHF23N60E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf23n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3 VISHAY sihf23n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3 sihf23n60e.pdf
SIHF23N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3 sihf23n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.