SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 341.67 грн |
| 10+ | 225.43 грн |
| 100+ | 151.15 грн |
| 500+ | 133.83 грн |
| 1000+ | 107.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF23N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF23N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHF23N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |