SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 427.11 грн |
| 10+ | 306.94 грн |
| 100+ | 222.90 грн |
| 500+ | 175.56 грн |
| 1000+ | 173.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF30N60E-GE3 за ціною від 212.10 грн до 479.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF30N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHF30N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIHF30N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIHF30N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 37W Gate charge: 130nC Pulsed drain current: 676A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIHF30N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 37W Gate charge: 130nC Pulsed drain current: 676A |
товару немає в наявності |