SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 496.61 грн |
| 10+ | 322.55 грн |
| 100+ | 234.23 грн |
| 500+ | 184.48 грн |
| 1000+ | 173.14 грн |
| 2000+ | 170.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 29, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 37, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 37, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHF30N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF30N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHF30N60E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 29 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 37 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 37 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHF30N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHF30N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)