SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix


sihf30n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.11 грн
10+306.94 грн
100+222.90 грн
500+175.56 грн
1000+173.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHF30N60E-GE3 за ціною від 212.10 грн до 479.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.49 грн
10+366.29 грн
25+268.61 грн
100+224.58 грн
250+223.11 грн
500+212.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Виробник : Vishay sihf30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Виробник : Vishay doc91454.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf30n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 676A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihf30n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 676A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.