Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHF35N60EF-GE3
SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors

sihf35n60ef.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.49 грн
10+404.74 грн
25+331.63 грн
100+284.46 грн
250+269.22 грн
500+253.26 грн
1000+203.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHF35N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf35n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihf35n60ef.pdf SIHF35N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf35n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.