Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHF530STRL-GE3
SIHF530STRL-GE3

SIHF530STRL-GE3 Vishay Siliconix

sihf530s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+60.23 грн
100+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF530STRL-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHF530STRL-GE3 за ціною від 27.51 грн до 125.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf530s.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
10+80.29 грн
100+45.91 грн
500+44.51 грн
800+30.46 грн
2400+28.25 грн
4800+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 Виробник : Vishay sihf530s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 Виробник : Vishay sihf530s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRL-GE3 Виробник : VISHAY sihf530s.pdf SIHF530STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRL-GE3 SIHF530STRL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf530s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.