на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.32 грн |
| 10+ | 94.96 грн |
| 100+ | 64.4 грн |
| 500+ | 54.14 грн |
| 1000+ | 44.02 грн |
| 2000+ | 43.82 грн |
| 5000+ | 43.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263, Power dissipation: 150W, On-state resistance: 77mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 110A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 20A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF540S-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
| SIHF540S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
товар відсутній |
|
| SIHF540S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A |
товар відсутній |