SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.29 грн |
| 10+ | 111.84 грн |
| 100+ | 67.93 грн |
| 500+ | 57.14 грн |
| 1000+ | 48.63 грн |
| 2000+ | 47.87 грн |
| 5000+ | 43.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHF540S-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
| SIHF540S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 100V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 72nC On-state resistance: 77mΩ Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHF540S-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHF540S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 100V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 72nC On-state resistance: 77mΩ Drain current: 20A |
товару немає в наявності |