Технічний опис SIHF5N50D-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SIHF5N50D-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIHF5N50D-E3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 5.3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHF5N50D-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)