на замовлення 995 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.56 грн |
| 10+ | 75.51 грн |
| 100+ | 51.88 грн |
| 500+ | 44.02 грн |
| 1000+ | 35.83 грн |
| 2000+ | 33.7 грн |
| 5000+ | 32.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF5N50D-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF5N50D-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF5N50D-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|
 |
SIHF5N50D-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|
| SIHF5N50D-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 28.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHF5N50D-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
| SIHF5N50D-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 28.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |