SIHF640S-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.44 грн |
| 10+ | 92.22 грн |
| 100+ | 63.49 грн |
| 250+ | 63.34 грн |
| 500+ | 59.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF640S-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHF640S-GE3 за ціною від 66.92 грн до 175.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF640S-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHF640S-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SIHF640S-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHF640S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHF640S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A |
товару немає в наявності |