Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHF7N60E-E3
SIHF7N60E-E3

SIHF7N60E-E3 Vishay / Siliconix

sihf7n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.28 грн
10+148.90 грн
100+98.58 грн
250+86.07 грн
500+81.66 грн
1000+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF7N60E-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHF7N60E-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 Виробник : Vishay sihf7n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 Виробник : Vishay doc91509.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 Виробник : Vishay doc91509.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3 Виробник : VISHAY sihf7n60e.pdf SIHF7N60E-E3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3 SIHF7N60E-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihf7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.