SIHF8N50L-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.54 грн |
| 10+ | 98.97 грн |
| 100+ | 69.07 грн |
| 250+ | 63.71 грн |
| 500+ | 57.83 грн |
| 1000+ | 49.60 грн |
| 2000+ | 47.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF8N50L-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHF8N50L-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF8N50L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |