Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHF9630S-GE3
SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix

sihf9630.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHF9630S-GE3 за ціною від 43.63 грн до 148.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF9630S-GE3 SIHF9630S-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihf9630.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.46 грн
10+105.75 грн
100+71.14 грн
500+60.25 грн
1000+45.02 грн
2000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 SIHF9630S-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.02 грн
10+100.24 грн
100+68.92 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 SIHF9630S-GE3 Виробник : Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3 Виробник : Vishay sihf9630.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.