SIHFL110TR-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.07 грн |
| 13+ | 23.45 грн |
| 100+ | 20.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFL110TR-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: SOT-223, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V.
Інші пропозиції SIHFL110TR-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHFL110TR-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHFL110TR-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHFL110TR-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHFL110TR-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.