SIHFL210TR-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.06 грн |
| 10+ | 34.35 грн |
| 100+ | 23.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFL210TR-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFL210TR-GE3 за ціною від 13.28 грн до 55.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFL210TR-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHFL210TR-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SIHFL210TR-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |