Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFL9014TR-GE3
SIHFL9014TR-GE3

SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix

sihfl901.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+51.11 грн
100+34.91 грн
500+25.67 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFL9014TR-GE3 за ціною від 18.17 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl901.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 58471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+53.64 грн
100+31.78 грн
500+26.19 грн
1000+22.66 грн
2500+19.72 грн
5000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.