
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS38N60L-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHFPS38N60L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.12 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHFPS38N60L-GE3 за ціною від 263.75 грн до 363.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHFPS38N60L-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SIHFPS38N60L-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SIHFPS38N60L-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
SIHFPS38N60L-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
SIHFPS38N60L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |