SIHFPS40N50L-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 622.42 грн |
| 10+ | 480.76 грн |
| 25+ | 365.23 грн |
| 100+ | 334.29 грн |
| 250+ | 304.11 грн |
| 480+ | 295.05 грн |
| 960+ | 285.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS40N50L-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.087 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHFPS40N50L-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.087 ohm, Super-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : Vishay |
Power MOSFET Super-247, 100 m @ 10V |
товару немає в наявності |
||
| SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247 Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 29A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Gate charge: 380nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 180A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @ Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHFPS40N50L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247 Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 29A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Gate charge: 380nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 180A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V |
товару немає в наявності |