на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 56.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFPS40N60K-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHFPS40N60K-GE3 за ціною від 261.90 грн до 581.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs SPR247 600V 470 N-CH |
на замовлення 480 шт: термін постачання 201-210 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @ Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 570W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIHFPS40N60K-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
товару немає в наявності |