Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFR024-GE3
SIHFR024-GE3

SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix

sihfr024.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.15 грн
10+52.47 грн
100+35.49 грн
500+26.16 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR024-GE3 за ціною від 19.75 грн до 89.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr024.pdf MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.13 грн
10+58.45 грн
100+34.45 грн
500+27.02 грн
1000+24.57 грн
3000+21.36 грн
6000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Виробник : Vishay 91264.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Виробник : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3 SIHFR024-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR024-GE3 Виробник : VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 56A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.