Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFR120-GE3
SIHFR120-GE3

SIHFR120-GE3 Vishay Siliconix

sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.09 грн
75+32.36 грн
150+28.76 грн
525+22.18 грн
1050+20.09 грн
2025+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR120-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR120-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHFR120-GE3 SIHFR120-GE3 Vishay / Siliconix sihfr120.pdf MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.