Продукція > VISHAY > SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 Vishay

sihfr1n6.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
551+22.07 грн
563+21.60 грн
573+21.22 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60A-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR1N60A-GE3 за ціною від 19.28 грн до 119.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.85 грн
29+24.48 грн
30+23.64 грн
100+22.31 грн
500+20.30 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.51 грн
11+36.00 грн
20+31.74 грн
34+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.02 грн
7+44.87 грн
20+38.09 грн
34+33.16 грн
93+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.38 грн
10+74.01 грн
100+42.67 грн
500+33.73 грн
1000+30.39 грн
3000+27.89 грн
6000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.