Продукція > VISHAY > SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 Vishay

sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
551+23.46 грн
563+22.96 грн
573+22.55 грн
1000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60A-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR1N60A-GE3 за ціною від 20.49 грн до 109.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.73 грн
29+26.03 грн
30+25.13 грн
100+23.72 грн
500+21.57 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.81 грн
10+68.07 грн
100+39.25 грн
500+31.03 грн
1000+28.03 грн
3000+25.66 грн
6000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.