на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 551+ | 22.49 грн |
| 563+ | 22.02 грн |
| 573+ | 21.63 грн |
| 1000+ | 20.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR1N60A-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFR1N60A-GE3 за ціною від 19.65 грн до 121.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A Gate charge: 14nC |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A Gate charge: 14nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK |
на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR1N60A-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |