Продукція > VISHAY > SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 Vishay

sihfr1n6.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
551+23.03 грн
563+22.54 грн
573+22.14 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 551
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60A-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR1N60A-GE3 за ціною від 20.12 грн до 126.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.15 грн
29+25.55 грн
30+24.67 грн
100+23.29 грн
500+21.18 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.45 грн
8+55.70 грн
20+49.19 грн
75+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.41 грн
20+59.03 грн
75+52.83 грн
300+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.07 грн
10+78.15 грн
100+45.06 грн
500+35.62 грн
1000+32.18 грн
3000+29.46 грн
6000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.