Продукція > VISHAY > SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 Vishay

doc91267.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
428+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR1N60A-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR1N60A-GE3 за ціною від 24.77 грн до 78.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay doc91267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+44.65 грн
15+40.27 грн
100+35.06 грн
500+29.56 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.06 грн
20+48.58 грн
22+41.95 грн
59+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.02 грн
10+50.10 грн
100+35.00 грн
500+31.04 грн
1000+26.80 грн
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.85 грн
5+68.62 грн
20+58.30 грн
22+50.33 грн
59+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.