SIHFR1N60ATR-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.35 грн |
| 10+ | 60.07 грн |
| 100+ | 35.61 грн |
| 500+ | 29.80 грн |
| 1000+ | 25.31 грн |
| 2000+ | 22.14 грн |
| 4000+ | 20.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR1N60ATR-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFR1N60ATR-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR1N60ATR-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHFR1N60ATR-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |