SIHFR220-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR220-GE3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 19A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIHFR220-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
товар відсутній |
|
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
товар відсутній |
|
|
|
SIHFR220-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |