на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR220-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 19A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIHFR220-GE3 за ціною від 16.85 грн до 67.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 8555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIHFR220-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIHFR220-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |