SIHFR320-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.29 грн |
| 10+ | 54.26 грн |
| 100+ | 35.83 грн |
| 500+ | 26.17 грн |
| 1000+ | 23.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR320-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFR320-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR320-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 8135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHFR320-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)