Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHFR320-GE3
SIHFR320-GE3

SIHFR320-GE3 Vishay Semiconductors

sihfr320.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.67 грн
10+54.92 грн
100+31.52 грн
500+24.54 грн
1000+22.31 грн
3000+21.68 грн
6000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR320-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR320-GE3 за ціною від 24.23 грн до 90.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR320-GE3 SIHFR320-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.99 грн
10+55.29 грн
100+36.51 грн
500+26.67 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3 Виробник : VISHAY sihfr320.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.