SIHFR420A-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.40 грн |
| 10+ | 62.16 грн |
| 100+ | 35.78 грн |
| 500+ | 29.37 грн |
| 1000+ | 25.36 грн |
| 3000+ | 22.12 грн |
| 6000+ | 20.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR420A-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFR420A-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR420A-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHFR420A-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |