Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHFR420A-GE3

SIHFR420A-GE3 Vishay / Siliconix

Name: SIHFR420A-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 4248966-4
Price: 404.20 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.05 грн
10+	62.56 грн
100+	36.02 грн
500+	29.56 грн
1000+	25.53 грн
3000+	22.26 грн
6000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHFR420A-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR420A-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHFR420A-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHFR420A-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHFR420A-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHFR420A-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.