SIHFR420TRL-GE3

SIHFR420TRL-GE3 Vishay / Siliconix


sihfr420.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.86 грн
10+66.21 грн
100+39.31 грн
500+32.83 грн
1000+28.00 грн
3000+25.28 грн
6000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR420TRL-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR420TRL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 Виробник : VISHAY sihfr420.pdf SIHFR420TRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR420TRL-GE3 SIHFR420TRL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.