Технічний опис SIHFR9014-GE3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -3.2A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHFR9014-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFR9014-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHFR9014-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHFR9014-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
товару немає в наявності |
|
| SIHFR9014-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |