SIHFR9120-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.29 грн |
| 10+ | 57.80 грн |
| 100+ | 32.98 грн |
| 250+ | 32.52 грн |
| 500+ | 26.03 грн |
| 1000+ | 23.02 грн |
| 3000+ | 20.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFR9120-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFR9120-GE3 за ціною від 19.48 грн до 85.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR9120-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 4741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHFR9120-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHFR9120-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHFR9120-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |