SIHFR9310-GE3

SIHFR9310-GE3 Vishay / Siliconix


sihfr931.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.68 грн
10+54.27 грн
100+32.22 грн
500+26.93 грн
1000+22.90 грн
3000+21.28 грн
6000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR9310-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR9310-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 Виробник : VISHAY sihfr931.pdf SIHFR9310-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.