Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHFR9310-GE3
SIHFR9310-GE3

SIHFR9310-GE3 Vishay / Siliconix

sihfr931.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.09 грн
10+63.08 грн
100+36.13 грн
500+28.45 грн
1000+23.11 грн
3000+20.04 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR9310-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR9310-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 VISHAY sihfr931.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.