Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFR9310-GE3
SIHFR9310-GE3

SIHFR9310-GE3 Vishay Siliconix

sihfr931.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+49.70 грн
100+32.71 грн
500+23.83 грн
1000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR9310-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFR9310-GE3 за ціною від 17.89 грн до 88.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr931.pdf MOSFETs -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.95 грн
10+55.13 грн
100+31.55 грн
500+24.61 грн
1000+22.27 грн
3000+20.31 грн
6000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310-GE3 SIHFR9310-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.