SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.66 грн |
| 75+ | 30.83 грн |
| 150+ | 27.41 грн |
| 525+ | 21.12 грн |
| 1050+ | 19.13 грн |
| 2025+ | 17.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFU310-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHFU310-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFU310-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Case: IPAK; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC Drain current: 1.1A Power dissipation: 25W On-state resistance: 3.6Ω Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
SIHFU310-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SIHFU310-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHFU310-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
On-state resistance: 3.6Ω
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHFU310-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHFU310-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



