Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHFU9220-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHFU9220-GE3 за ціною від 25.34 грн до 41.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFU9220-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SIHFU9220-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHFU9220-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251) |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
SIHFU9220-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHFU9220-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.03 грн |
| 11+ | 29.28 грн |
| 100+ | 25.34 грн |
| SIHFU9220-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.02 грн |
| 20+ | 39.05 грн |
| 100+ | 33.93 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| SIHFU9220-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHFU9220-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)