Продукція > VISHAY > SIHFU9220-GE3
SIHFU9220-GE3

SIHFU9220-GE3 Vishay

sihfr922.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
456+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFU9220-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції SIHFU9220-GE3 за ціною від 30.51 грн до 106.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHFU9220-GE3 SIHFU9220-GE3 Vishay sihfr922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.39 грн
20+39.40 грн
100+34.24 грн
500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 SIHFU9220-GE3 Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+64.90 грн
50+48.43 грн
100+40.46 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 SIHFU9220-GE3 Vishay / Siliconix sihfr922.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 SIHFU9220-GE3 VISHAY VISH-S-A0013857029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 sihfr922.pdf
SIHFU9220-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.39 грн
20+39.40 грн
100+34.24 грн
500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 sihfr922.pdf
SIHFU9220-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.84 грн
10+64.90 грн
50+48.43 грн
100+40.46 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 sihfr922.pdf
SIHFU9220-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFU9220-GE3 VISH-S-A0013857029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHFU9220-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHFU9220-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.