SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1260.09 грн |
| 25+ | 704.02 грн |
| 100+ | 665.65 грн |
| 500+ | 622.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 524W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG018N60E-GE3 за ціною від 664.34 грн до 1455.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 524W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET TO247AC, 39 m @ 10V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Pulsed drain current: 325A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |