SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1306.72 грн |
| 25+ | 800.73 грн |
| 100+ | 691.59 грн |
| 500+ | 647.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 524W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG018N60E-GE3 за ціною від 708.46 грн до 1447.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 99 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 524 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 524 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET TO247AC, 39 m @ 10V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIHG018N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 228nC Pulsed drain current: 325A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 63A Power dissipation: 524W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 228nC Pulsed drain current: 325A |
товару немає в наявності |