Продукція > VISHAY > SIHG039N60E-GE3
SIHG039N60E-GE3

SIHG039N60E-GE3 Vishay

sihg039n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+588.47 грн
10+582.85 грн
25+577.32 грн
50+551.28 грн
100+505.51 грн
250+480.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG039N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG039N60E-GE3 за ціною від 377.37 грн до 752.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay sihg039n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+588.47 грн
25+577.32 грн
50+551.28 грн
100+505.51 грн
250+480.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg039n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.03 грн
25+444.02 грн
100+377.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg039n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+588.47 грн
25+577.32 грн
50+551.28 грн
100+505.51 грн
250+480.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+752.03 грн
25+444.02 грн
100+377.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 VISH-S-A0011299580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG039N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.