Продукція > VISHAY > SIHG065N60E-GE3
SIHG065N60E-GE3

SIHG065N60E-GE3 Vishay

doc92036.pdf Виробник: Vishay
SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.37 грн
10+319.25 грн
25+314.20 грн
50+298.11 грн
100+271.45 грн
250+256.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG065N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG065N60E-GE3 за ціною від 267.88 грн до 569.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92036.pdf SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+349.32 грн
36+338.37 грн
50+321.04 грн
100+292.34 грн
250+275.98 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.32 грн
10+489.52 грн
25+278.89 грн
100+267.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.43 грн
25+385.27 грн
100+350.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg065n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+569.72 грн
5+523.62 грн
10+477.51 грн
50+406.71 грн
100+341.55 грн
250+334.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg065n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92036.pdf SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92036.pdf SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg065n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Case: TO247AC
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg065n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 116A
Case: TO247AC
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.