Продукція > VISHAY > SIHG065N60E-GE3
SIHG065N60E-GE3

SIHG065N60E-GE3 Vishay

sihg065n60e.pdf
Виробник: Vishay
SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.18 грн
51+278.66 грн
52+264.45 грн
100+240.83 грн
250+227.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG065N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції SIHG065N60E-GE3 за ціною від 227.32 грн до 620.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay sihg065n60e.pdf SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.70 грн
10+283.18 грн
25+278.66 грн
50+264.45 грн
100+240.83 грн
250+227.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.96 грн
25+357.54 грн
100+300.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY sihg065n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay
SIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+287.70 грн
10+283.18 грн
25+278.66 грн
50+264.45 грн
100+240.83 грн
250+227.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+620.96 грн
25+357.54 грн
100+300.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.