SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 415.65 грн |
| 10+ | 382.15 грн |
| 25+ | 291.01 грн |
| 100+ | 269.7 грн |
| 250+ | 262.38 грн |
| 500+ | 241.73 грн |
| 1000+ | 238.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG065N60E-GE3 за ціною від 269.21 грн до 487.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |