SIHG068N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 340.65 грн |
| 10+ | 305.54 грн |
| 100+ | 250.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG068N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.059 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG068N60EF-GE3 за ціною від 188.46 грн до 421.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V N-CHANNEL |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG068N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHG068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHG068N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |