Продукція > VISHAY > SIHG080N60E-GE3
SIHG080N60E-GE3

SIHG080N60E-GE3 Vishay

sihg080n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+187.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG080N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції SIHG080N60E-GE3 за ціною від 187.34 грн до 419.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 Vishay sihg080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.50 грн
25+234.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 VISHAY sihg080n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg080n60e.pdf MOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+419.50 грн
25+234.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.