на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.47 грн |
| 10+ | 263.99 грн |
| 100+ | 197.26 грн |
| 500+ | 158.65 грн |
| 1000+ | 157.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG080N65SF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 403W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG080N65SF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG080N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 650VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |