SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 437.34 грн |
| 10+ | 296.95 грн |
| 100+ | 223.23 грн |
| 500+ | 191.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 184W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm.
Інші пропозиції SIHG085N60EF-GE3 за ціною від 215.01 грн до 560.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG085N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 617 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
SIHG085N60EF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 184W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHG085N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 560.56 грн |
| 10+ | 374.26 грн |
| 100+ | 236.95 грн |
| 500+ | 215.01 грн |
| SIHG085N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 184W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
Description: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 184W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




