Продукція > VISHAY > SIHG100N60E-GE3
SIHG100N60E-GE3

SIHG100N60E-GE3 Vishay

doc92144.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+213.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG100N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG100N60E-GE3 за ціною від 209.67 грн до 544.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92144.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+231.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg100n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+232.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.42 грн
10+343.55 грн
100+250.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg100n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.16 грн
10+369.72 грн
100+236.15 грн
500+220.70 грн
1000+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92144.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92144.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92144.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg100n60e.pdf SIHG100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.