Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHG105N60EF-GE3
SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

sihg105n60ef.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.46 грн
10+ 216.4 грн
25+ 181.55 грн
100+ 157.69 грн
250+ 153.72 грн
500+ 144.44 грн
1000+ 133.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG105N60EF-GE3 за ціною від 182.45 грн до 291.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.53 грн
10+ 225.55 грн
100+ 182.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2898290.pdf Description: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+291.37 грн
10+ 237.85 грн
25+ 221.5 грн
100+ 189.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg105n60ef.pdf Power MOSFET
товар відсутній