Продукція > VISHAY > SIHG11N80AE-GE3
SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3 Vishay

sihg11n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG11N80AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG11N80AE-GE3 за ціною від 111.42 грн до 111.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay sihg11n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+111.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 VISHAY 3098129.pdf Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+111.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3 3098129.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.