SIHG11N80AEF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG11N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.483 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.483ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 309.61 грн |
| 10+ | 238.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG11N80AEF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG11N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.483 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.483ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG11N80AEF-GE3 за ціною від 122.33 грн до 321.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG11N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|