на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 692.13 грн |
| 10+ | 587.17 грн |
| 100+ | 509.05 грн |
| 500+ | 129.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG11N80E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHG11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHG11N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHG11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 88nC |
товару немає в наявності |