Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHG11N80E-GE3
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg11n80e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8A, Power dissipation: 179W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 440mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 32A, Gate charge: 88nC.

Інші пропозиції SIHG11N80E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 Vishay Siliconix sihg11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 VISHAY sihg11n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 88nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 Vishay sihg11n80e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
SIHG11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 88nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
SIHG11N80E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.