Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Name: SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 149191-4
Price: 345.89 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC

на замовлення 461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	345.89 грн
10+	252.96 грн
25+	173.62 грн
100+	167.74 грн
250+	156.70 грн
500+	136.84 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG11N80E-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHG11N80E-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG11N80E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 88nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG11N80E-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG11N80E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 88nC Pulsed drain current: 32A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.