SIHG120N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.98 грн |
| 50+ | 228.56 грн |
| 100+ | 208.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG120N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG120N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG120N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHG120N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)