Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG120N60E-GE3
SIHG120N60E-GE3

SIHG120N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihg120n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.03 грн
50+216.47 грн
100+202.55 грн
500+158.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG120N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG120N60E-GE3 за ціною від 178.04 грн до 428.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.29 грн
10+353.64 грн
25+268.52 грн
100+244.98 грн
250+236.89 грн
500+226.59 грн
1000+178.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92113.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92113.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.