SIHG125N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 288.17 грн |
| 10+ | 258.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG125N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG125N60EF-GE3 за ціною від 143.40 грн до 409.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |