на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.62 грн |
| 10+ | 215.82 грн |
| 25+ | 186.15 грн |
| 100+ | 151.96 грн |
| 250+ | 149.68 грн |
| 500+ | 131.45 грн |
| 1000+ | 108.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG14N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG14N50D-GE3 за ціною від 145.65 грн до 418.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG14N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG14N50D-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHG14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 38A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SIHG14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 38A |
товару немає в наявності |