SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3 Vishay / Siliconix


sihg14n50d.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.73 грн
10+208.47 грн
25+179.81 грн
100+146.78 грн
250+144.58 грн
500+126.97 грн
1000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG14N50D-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG14N50D-GE3 за ціною від 136.84 грн до 314.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihg14n50d.pdf Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.10 грн
10+196.77 грн
100+158.90 грн
500+136.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg14n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.38 грн
10+199.38 грн
100+140.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Виробник : Vishay sihg14n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihg14n50d.pdf SIHG14N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.