на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.29 грн |
| 10+ | 194.85 грн |
| 25+ | 168.07 грн |
| 100+ | 137.20 грн |
| 250+ | 135.14 грн |
| 500+ | 118.68 грн |
| 1000+ | 98.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG14N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG14N50D-GE3 за ціною від 176.87 грн до 392.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG14N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |